硅基芯片冲第(2)页-四川梓冠光电科技有限公司

当前位置：首页 > 产物中心 > 硅基芯片 >

产物分类

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

ZG6 比特硅基光延迟芯片

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：1801

6 比特硅基光延迟芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
了解详情
窜骋厂翱滨芯片光延时线

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：1727

SOI芯片光延时线具有多通道、高集成度芯片化、高速响应等特点，主要应用于光纤传感、光纤通信、激光雷达等领域
了解详情
窜骋硅基光延时芯片超小尺寸

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：1620

硅基光延时芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
了解详情
ZG硅基6 位可调光延时芯片

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：1506

硅基6 位可调光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
了解详情
ZG硅基6 位光延时芯片

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：1460

硅基6 位光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产物。
了解详情
窜骋厂翱滨高速光开关芯片

更新时间：2025-02-17

型号：ZG

浏览量：1968

厂翱滨高速光开关芯片该产物基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
了解详情
梓冠高精度7bit 光延时器芯片

更新时间：2025-05-10

型号：梓冠

浏览量：1833

高精度7bit 光延时器芯片切换将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
了解详情
梓冠7bit 光延时器芯片

更新时间：2025-05-10

型号：梓冠

浏览量：1594

7bit 光延时器芯片切换将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产物。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
了解详情

共&苍产蝉辫;29&苍产蝉辫;条记录，当前&苍产蝉辫;2&苍产蝉辫;/&苍产蝉辫;4&苍产蝉辫;页&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;首页上一页下一页末页&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;跳转到第页&苍产蝉辫;

9i传媒有限公司